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Vishay推出业内首款通过汽车标准AECQ101认证的非对称封装双芯片MOSFET万芳

发布时间:2020-02-14 12:24:24 阅读: 来源:防火包厂家

Vishay推出业内首款通过汽车标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

非对称封装优化低边MOSFET的RDS(on),在同步DC/DC转换器中可节省空间

Vishay推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载应用,把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里,比使用分立MOSFET的方案节省空间,低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。

今天发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET,为降低传导损耗,增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作,具有车内任何位置的应用所需的耐用性和可靠性。器件尤其适用于车载通信娱乐系统,例如收音机和GPS系统。

SQJ940EP和SQJ942EP使设计者能够选用不同的导通电阻值。在10V电压下,SQJ940EP的沟道2低边MOSFET的最大导通电阻为6.4mΩ,沟道1高边MOSFET的导通电阻为16mΩ。与双芯片对称方案相比,SQJ940EP的低边导通电阻低31%,而尺寸同样小巧。SQJ942EP在10V下的最大低边导通电阻为11mΩ,高边MOSFET的导通电阻为22mΩ。

这些MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试,符合RoHS,无卤素。

器件规格表:

编号SQJ940EPSQJ942EP通道1212VDS (V)4040VGS (V)± 20± 20最大RDS(ON) (m ) @10 V166.422114.5 V18.57.62613

SQJ940EP和SQJ942EP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。

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